14纳米工艺三星领先台积电，保住苹果、高通等公司的大量移动处理器代工订单。早于在三年前英特尔就大力布局10纳米工艺预计在2017年量产；台积电透漏投巨资预计2017年量产10纳米工艺追上英特尔，而三星电子也近日展出了其近期的10纳米FinFET半导体工艺，预计2017年将引入此近期的半导体工艺。
由此看来，三大晶圆代工大厂商将在2017年的消费电子产品中决斗10纳米工艺。 据市调单位ICInsights近期统计资料，2014年半导体研发费用英特尔大约115亿美元、台积电约18.74亿美元、三星约29.65亿美元。 三星电子在旧金山于2月22-26日举行的国际固态电路会议(InternationalSolidStateCircuitConference，ISSCC)上展出了全球首见的10纳米FinFET半导体工艺，未来将会抢走在英特尔之前生产出有第一款10纳米移动芯片组。
三星电子半导体事业部总裁KimKi-nam在展场中回应，使用10纳米FinFET工艺技术的芯片不但更为省电、体积也更加小，是物联网(IoT)进化进程中非常最重要的一步。除了10纳米工艺技术之外，Kim也谈论了10纳米的DRAM与3DV-NAND科技。 根据报导，目前还无法确认消费性电子产品何时才不会引入这种近期的半导体工艺技术，或许之前2017年才有可能。
同时，晶圆代工龙头台积电(TSMC)透漏该公司将在2017年开始量产10纳米工艺，预计将能与英特尔(Intel)并驾齐驱；我们的10纳米工艺性能展现出，还包括速度、功率与密度，将不会与我们指出英特尔为其10纳米技术所定义的规格非常；台积电企业通讯部门总监ElizabethSun回应：凭借技术实力，我们指出能在10纳米节点加深差距。 而台积电首度回应，今年预期将不会有半导体产业界最大规模的资本开支，其目标是稳固其晶圆代工市场领导地位，以对付英特尔、三星(Samsung)与GlobalFoundries等竞争者。
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